檢索結果:共1筆資料 檢索策略: "黃柏仁".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="凹槽型奈米級圖案藍寶石基板"
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氮化鎵具備優異的電性表現已成為第三代寬能隙半導體熱門材料,由AlGaN/GaN異質結構形成之高電子遷移率電晶體已廣泛運用在手機快充與電動車電控系統。本實驗將針對氮化鎵成長在藍寶石基板上,面臨的兩大瓶…